宝瀛7N超纯氨通过国家新标认证，长三角半导体材料自主化再进阶
24项
极限检测
2025
BAOYING GASES
宝瀛7N超纯氨
通过国家新标认证
NH₃
长三角半导体材料
自主化再进阶
PREFACE
7N超纯氨
国家新标认证
BAOYING GASES
NH₃
Certified by the National New Standard
A
BOUT US
近日，宝瀛（南京）气体技术有限责任公司（以下简称“宝瀛技术”）自主研发的7N级（≥99.99999%）超纯氨产品依据最新国标GB/T 14601-2025通过上海市计量测试技术研究院检测（报告号：2025I30-30-5973590001）。24项关键指标全合格，其中水分、氧氩等关键杂质含量均＜0.01×10⁻⁶(v/v)，磷、钠等金属离子控制在0.001-0.004μg/g，多项数据优于国标5倍。
Certified by the National New Standard
ONE I 技术突破
三重工艺实现ppb级纯度控制
采用梯级过滤-中压双塔精馏-精密膜分离技术链，攻克超痕量杂质脱除难题：
金属离子精度达ppb级（实测钙0.001μg/g、铜0.001μg/g）
轻重组分深度脱除（碳氢化合物＜0.01×10⁻⁶）
绿色循环工艺实现副产物100%资源化
TWO I 24项金属控制
直击高端芯片良率痛点
由于第三代半导体（GaN/SiC）的特殊性，对痕量金属的容忍度极低：
外延生长过程杂质放大效应
GaN/SiC外延采用气相沉积（如MOCVD、HVPE），金属杂质在高温反应室中易掺入生长层。1个金属原子可破坏10³~10⁵个晶格周期结构
金属杂质对器件可靠性的链式影响
杂质 元素 | 主要危害机制 | 典型失效模式 |
Sb | 替代Ga位形成 施主能级 | GaN HEMT 电流崩塌 |
Bi | 替代Ga位形成 施主能级 | SiC二极管反向 漏电增加 |
Bi | 替代Ga位形成 施主能级 | SiC二极管反向 漏电增加 |
宝瀛技术7N级超纯氨
24项极限检测报告的优势：
国标GB/T 14601-2025要求检测18项金属，宝瀛自主升级至24项，因其在高温下更易扩散至界面，避免杂质放大影响
新增锑(Sb)、铋(Bi)等6项易引发晶格缺陷的关-键元素（据IEEE电子器件期刊研究）
金属杂质含量仅为进口产品的1/5，降低外延片缺陷风险
实验数据：
接入宝瀛气源后，外延片良率实验值预计提升2.1%（同工艺条件下）。
THREE I 长三角
半导体供应链“零距离”响应
传统模式痛点 | 宝瀛解决方案 |
进口产品运输超500公里 | 南京基地辐射300公里圈（覆盖中芯/华虹/长鑫），专用超纯氨罐箱到厂仅需4小时 |
含6%进口关税 | 100%本土生产，零关税成本优化直达晶圆厂 |
参数保密 验证周期长 | 全检测数据开放，支持客户核验 |
NH₃
BAOYING
宝瀛气体跻身7N超纯氨国产化第一梯队，与本土同行共同推动关键技术自主，更以长三角4小时极速供应、全参数透明可溯的服务模式，为第三代半导体打造“高纯、高效、高可靠”的气体解决方案。中国特气产业的集体跃迁，正从单点突破走向系统能力升级，宝瀛愿与产业链共筑芯片材料的“中国标准”。